ایجاد تماس اهمی ساختار Ni/Cu به روش الکتروشیمیایی برروی زیر لایه های پلی کریستال سیلیکون مورداستفاده در سلول های خورشیدی

نویسندگان

1 Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology

2 Electerical and Computer Engineering, Tehran University

3 Mechanical Engineering, K. N. Toosi University of Technology

چکیده

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان تماس اهمی برروی بس بلور سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی و بااستفاده از دستگاه ماوراء صوت لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. نیکل بااستفاده از حمام وات برروی زیرلایة n+-Si در زمان های 10، 20 و 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و تماس لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی برروی لایة نیکل انجام شده است. آنالیزهای XRD، SEM و EDX برای بررسی ساختار بلوری، ساختار سطحی و عناصر تشکیل دهندة این لایه ها انجام شده و باتوجه به ناهمواری زیاد سطح زیرلایة پلی کریستال سیلیکون، درحین لایه نشانی از دستگاه ماوراء صوت برای ایجاد تماس های اهمی با چسبندگی بسیار خوب و کیفیت بالا استفاده شده است. پس از الگودهی نقاب موردنظر برای اندازه گیری مقاومت تماس از روش مدل خط انتقال (TLM) Transmission Line Model استفاده شده و مقاومت ویژة تماس برابر Ωcm25-10�2/2 به دست آمده است که مقاومت تماس مناسبی برای کاربرد در سلول های خورشیدی پلی کریستال� سیلیکون می باشد.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

Fabrication Ohmic Contact of Ni/Cu Structure on Polycrystalline Silicon Via Electrochemical Method used in Solar Cells

چکیده [English]

In this paper, a low-cost Ni/Cu structure as an ohmic contact was fabricated on Polycrystalline n+Si Via electrochemical method by the application of an ultrasonic system and the electrical resistivity of the contact was optimized. After electroplating of Ni in watts bath for 10, 20 and 40 min, an electroplated copper layer was deppsited on Ni film in order to reduce the sheet and contact resistance by using an ultrasonic system one can obtain a film with the lower surface roughness and the higher quality. The electrical resistivity of the electroplated Ni/Cu was investigated for vacuum annealing at various temperatures. Post treatments of the coated Ni improved the crystalline structure of the electroplated layer. Contact resistance of the Ni/Cu structure on an n+Si was measured using the Transmission Line Model (TLM) Method. An optimum specific contact resistance of 2.2×10-5 Ωcm2 was obtained for layers annealed at 400°C for 10 min. SEM, XRD, and EDX analyses were used to investigate the surface morphology, structure and composition of deposited films.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Electroplating
  • Ultrasonic System
  • Polycrystalline Silicon
  • Ohmic Contact
  • Ni/Cu structure