نوع مقاله : مقاله کامل پژوهشی

نویسنده

مجتمع پژوهشی شمال غرب کشور - پژوهشکده کاربرد پرتوها- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای

چکیده

چکیده: دی‌اکسید تلوریم (TeO2) یکی از نیمه‌رساناهای جالب توجه است که دارای خاصیت صوتی- نوری بالا و پایداری شیمیایی و مکانیکی خوبی بوده و در دو فاز بی‌شکل و بلوری برای مطالعات پایه و انواع کاربردها در تکنولوژی از جمله: استفاده در قطعات نوری، آشکارسازهای تابش گاما و سنسورهای گازی مناسب می‌باشد. در این پژوهش لایه‌های نازک TeO2 به روش لایه‌نشانی تبخیر حرارتی در خلاء، در سه ضخامت مختلف تهیه شده و تاثیر تابش پرتو گاما در محدوده‌ی Gy 10-40 و بازپخت حرارتی بر روی خواص نمونه‌ها مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج تصاویر SEM تشکیل لایه‌ای با سطح یکنواخت را نشان می‌دهند. تحلیل نتایج پراش اشعه X نشانگر این است که ساختار لایه نازک TeO2 قبل از بازپخت به صورت بی‌شکل ولی بعد از بازپخت در دمای ᵒC 400 به صورت بلوری می‌باشد. شدت جذب نوری بعد از بازپخت و بعد از تابش گاما افزایش ولی شکاف انرژی کاهش را نشان می‌دهد. جریان الکتریکی نمونه‌ها با افزایش ضخامت لایه‌ها، دُز اشعه گاما و هم‌چنین بعد از بازپخت افزایش یافت.

کلیدواژه‌ها

موضوعات

عنوان مقاله [English]

Comparison of optical and electrical properties of TeO2 nanostructure thin films before and after gamma radiation

نویسنده [English]

  • Tavakkol Tohidi

چکیده [English]

Abstract Tellurium dioxide (TeO2) is an interesting semiconductor, which it has high acousto-optic figure of merit, chemical stability and mechanical durability and both in its crystalline and amorphous forms, making it suitable for theoretical studies and technological applications such as optical devices, γ-ray detectors, and gas sensors. In this work, the TeO2 thin film with three different thicknesses was prepared by vacuum thermal evaporation method. The effect of gamma irradiation in the range of 10-40 Gy and also the effect of thermal annealing on properties of TeO2 thin films are investigated. SEM results show the formation of the film with smooth surface. X-ray analysis are revealed that the as-deposited films were amorphous but after annealing at 400 ᵒC, the crystalline phase of the samples occurred. The optical absorbance after annealing and gamma radiation is increased but the band gap decreased. The electrical current of samples is increased with increasing of films thickness, gamma dose and also after annealing.

کلیدواژه‌ها [English]

  • TeO2"
  • Thin film"
  • Gamma irradiation"
  • Optical properties"
  • "
  • Electrical properties"