%0 Journal Article %T لایه نشانی و تعیین خواص نوری نیترید سیلیسیم در محیط های آرگن و نیتروژن %J مواد و فناوری‌های پیشرفته %I پژوهشگاه مواد و انرژی %Z 2783-0810 %A Manavizadeh, N. %A Khodayari, A. %A Asle Soleimani, E. %D 2008 %\ 07/22/2008 %V -3 %N 2* %P 175-182 %! لایه نشانی و تعیین خواص نوری نیترید سیلیسیم در محیط های آرگن و نیتروژن %K نیترید سیلیکون %K کندوپاشRF %K پوشش های ضد بازتاب %K سلول خورشیدی %R 10.30501/jamt.2010.70135 %X �لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه ها بررسی شده است نسبت سیلیکون به نیتروژن در ترکیب پوشش های ضد بازتاب نیترید سیلیکون بهینه و به کمک آنالیز RBS بررسی شده است. از آنالیز UV/VIS/IR برای بررسی خواص نوری این لایه ها استفاده شده است. لایه های نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن با ضخامت �2000 و با توان بین 100 تا 150 وات لایه نشانی شده اند، درصد عبور نور بسیار بالای 92% (درحدود شفافیت شیشه های نازک) در طیف وسیع 300 تا nm1200 دارند. لایه های ضد بازتاب نیترید سیلیکون مذکور بازتاب سطح سلول های بس کریستال سیلیکون را از 12% به کمتر از 2% کاهش می دهند. %U https://www.jamt.ir/article_70135_99407d45119961ca427b28242774ac01.pdf