@article { author = {Bahrevar, Mohamad Ali and Ganjkhanlou, Yadolah and Kazemzad, Mahmood and Azizi, Houshang}, title = {On the substrate wettability of a tungsten sol for the preparation of WO3 thin films}, journal = {Journal of Advanced Materials and Technologies}, volume = {3}, number = {4}, pages = {63-69}, year = {2015}, publisher = {Materials and Research Center (MERC)}, issn = {2783-0810}, eissn = {2783-0829}, doi = {10.30501/jamt.2635.70283}, abstract = {In this work, WO3 thin films have been deposited on optical glass and transparent conducting oxide substrates using aqueous and organic sols by means of dip coating followed by post annealing at 400 oC. The wetting of applied substrates by the prepared sol has been simply studied by observation and photography. The prepared thin films were also studied by various techniques including scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and cyclic voltammetry in H2SO4 solution. The results showed that aqueous sols showed undesired wetting while aqueous-alcoholic sols could splendidly wet both glass and TCO substrates. However, the use of ethyl alcohol resulted in the degradation of the films during the drying process whereas this problem could be overcome by the introduction of heavy alcohols.Aqueous-alcoholic sols prepared from Lauryl Alcohol andperoxytungstic acid which was previously synthesized from sodium tungstate precursors were optimized as the dipping sol. Results showed that the presence of Lauryl alcohol reduces the size of the crystallites and grains in the prepared thin films. The monoclinic phase of WO3was transformed to triclinic phase by the addition of Lauryl alcohol to the prepared sol. The cyclic voltametery analyses also verified the improved electrochromic properties of the prepared layers in the presence of Lauryl alcohol.}, keywords = {Tungsten oxide,Sol-Gel,Wetting,Thin films}, title_fa = {بهبود رفتار ترشوندگی سل حاوی تنگستن برای تهیه لایه های نازک اکسید تنگستن}, abstract_fa = {در این کار لایه ­های اکسید تنگستن بر روی الکترود شفاف اکسیدی و همچنین شیشه نوری با استفاده از روش فروبری در سُل‌های پایه آبی و الکلی آماده و سپس در 400 درجه عملیات حرارتی گردیدند. ترشوندگی لایه‌های مورد استفاده توسط سُل‌های آماده شده نیز با مشاهدات چشمی و تصویربرداری بررسی شد. لایه ­های آماده شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش اشعه X و همچنین ولتامتری چرخ ه­ای در محلول اسیدسولفوریک مورد مطالعه قرار گرفتند. نتایج نشان می ­دهد که زیرلایه­ های مورد استفاده توسط سُل‌های آبی آماده شده، ترشوندگی نامطلوبی دارند در حالی که سل‌های پایه آبی - الکلی به خوبی دو زیر لایه مورد استفاده را تر می­کنند. ترشوندگی زیر لایه حین خشک کردن در صورت استفاده از اتانول در سل‌های مخلوط آبی - الکلی کاهش می‌یابد این مشکل با استفاده از یک الکل سنگین (لوریک الکل) مرتفع گردید که این کار به عنوان روش بهینه تهیه سل برای لایه نشانی اکسید تنگستن با استفاده ازاسید هیدروکسی تنگستیک تهیه شده از پیش‌ماده سدیم تنگستات تعیین گردید. نتایج نشان می­دهد که حضور لوریک الکل اندازه دانه­ ها و بلورک‌ها را از حدود 40 نانومتر تا زیر 20 نانومتر کاهش می­دهد و فاز لایه نیز از مونوکلینیک به تریکلینیک تبدیل می­شود. داده ­های ولتامتری چرخشی نیز خواص بهبود یافته الکتروکرمیک لایه اکسید تنگستن آماده شده را تایید می­ کند.}, keywords_fa = {کسید تنگستن,الکتروکرومیزم,سل- تر,ژل شوندگ,ی لایه نازک}, url = {https://www.jamt.ir/article_70283.html}, eprint = {https://www.jamt.ir/article_70283_254d11cc8d47cebada047f42b6f33088.pdf} }