TY - JOUR ID - 91626 TI - افزایش چسبندگی سطحی لایه‌نازک اکسید‌گرافن روی بستر سیلیکون آب گریز JO - مواد و فناوری‌های پیشرفته JA - JAMT LA - fa SN - 2783-0810 AU - راثی, ساناز AU - نادری, نیما AU - مرادی البرزی, مرتضی AD - پژوهشگاه مواد و انرژی، پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته، کرج، ایران Y1 - 2018 PY - 2018 VL - 7 IS - 1 SP - 29 EP - 33 KW - لایه‌نازک KW - لایه‌نشانی الکتروفورتیک KW - اکسیدگرافن KW - اصلاح سطحی KW - ‌چسبندگی DO - 10.30501/jamt.2018.91626 N2 - در این تحقیق، لایه­ های اکسید­­گرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح ­شده هامر[2]، سنتز گردید. لایه ­نازک اکسید­ گرافن به روش لایه­ نشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید ­گرافن روی زیر لایه سیلیکون [4] لایه­ نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه ­های اکسید­ گرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه­ توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسید گرافن لایه ­نشانی شده در دمای ºC400 تحت جریان آرگون انجام شد. الگوی پراش اشعه ­ی ایکس عامل ­دار شدن لایه ­های گرافیت با گروه­ های عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیت ­آمیز فاصله­ بین صفحه ­ای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید می ­کند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه­­ لایه ­نشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایه ­نشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسید گرافن را نشان می ­دهد. بهبود میزان چسبندگی و لایه­ نشانی یکنواخت لایه­ نازک اکسید گرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیف­سنجی رامان حاصل از این نمونه­ شکل­ گیری لایه ­­نازک اکسید گرافن احیا شده را تایید می­ کند.  UR - https://www.jamt.ir/article_91626.html L1 - https://www.jamt.ir/article_91626_d205cc6aecfd4ddeebdead1f39d8bf0b.pdf ER -